本报讯 6月4日,恩智浦半导体宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列,该系列采用恩智浦Trench6技术,具有极低导通电阻(RDSon)、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。
恩智浦新型汽车级MOSFET已取得AEC-Q101认证,成功通过175℃高温下超过1600小时的延长寿命测试(性能远超Q101标准要求),同时具有极低的PPM水平。据悉,该系列产品几乎覆盖所有汽车应用领域,从简单的车灯照明到精密复杂的传动、车身及底盘等各系统的功率控制。(科闻)
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2012/6/10
本报讯 6月4日,恩智浦半导体宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列,该系列采用恩智浦Trench6技术,具有极低导通电阻(RDSon)、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。
恩智浦新型汽车级MOSFET已取得AEC-Q101认证,成功通过175℃高温下超过1600小时的延长寿命测试(性能远超Q101标准要求),同时具有极低的PPM水平。据悉,该系列产品几乎覆盖所有汽车应用领域,从简单的车灯照明到精密复杂的传动、车身及底盘等各系统的功率控制。(科闻)